【新科技讯】近日,《韩国经济新闻》援引行业内部匿名消息来源报道,三星电子计划扩大其位于韩国平泽市的P3工厂产能。这座工厂将为DRAM存储芯片增加12英寸晶圆产能。据报道,P3工厂是三星电子最大的芯片制造厂,该工厂将根据代工合同增加4纳米芯片产能;三星电子计划明年新购至少10台极紫外光刻机。
路透社援引分析师的话报道,三星电子继续投资芯片业务,可能有助其在需求回暖时争取存储芯片市场份额,以及提振公司股价。
研究机构和证券公司最新报告显示,三星电子晶圆代工业务营收在今年三季度达到55.84亿美元,高于NAND闪存业务43亿美元的销售额。外媒报道称,这是三星电子晶圆代工业务的营收首次超过NAND闪存业务的营收。
究其原因,一方面,三星电子晶圆代工业务快速发展,这主要受益于与人工智能和5G通讯相关的定制化芯片需求增加、先进制程工艺良品率的改善、成熟制程工艺竞争力的提升等因素。另一方面,NAND闪存业务遭遇挫折,由于个人计算机和智能手机需求下滑,NAND闪存的需求与价格双双下滑,其中NAND闪存的合约价格较去年年底下滑13.9。
据《韩国时报》报道,截至今年第二季度,三星电子占据43.5的DRAM芯片市场份额,其次是韩国SK海力士公司占有27.4的份额,美国美光科技公司约占24.5。
有别于三星电子公司计划继续投资芯片业务,美光科技公司21日宣布计划裁员10,以应对消费电子产品和芯片需求走软。SK海力士公司高管在第二季度财报会议中说,为应对市场环境,其资本支出将保持灵活。
虽然三星电子忙于长期布局,但存储芯片短期销量依然不乐观。据高盛集团日前预测,三星电子半导体业务第四季度营业利润约为1.5万亿韩元(1美元约合1271韩元),同比下滑83。
三星电子今年8月宣布,其位于韩国首都首尔以南的半导体研发中心破土动工。该公司计划在2028年前向该研发中心投资约20万亿韩元,以提升企业在芯片领域的地位。
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